ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ SNO2/PCDTE, ITO/PCDTE И IN2O3/PCDTE НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ
Ключевые слова:
Диэлектрический слой, последовательное сопротивление, выходные параметры.фотопреобразователь, структура
Аннотация
Исследованы эксплуатационные параметры и коэффициент полезного действия фотопреобразователей SnO2/pCdTe, ITO/pCdTe и In2O3/pCdTe. Определены реальные значения последовательного сопротивления исследуемых структур. В пленочных фотопреобразователях значительный вклад в последовательное сопротивление вносят сопротивление переходного диэлектрического слоя оксида теллура ТеО2 между полупроводником и сопротивление между тыловым омическим контактом структур
Литература
1. Xandy R.T. “Theoretical analysis of the series resistance of a solar cell” sol st. electron N 8, pp 765-775, 1967
2. Bardina N.M, Zajceva A.K. Vybor optimal'nyh razmerov i nagruzki kremnievogo fotojelementa pri razlichnyh variantah tokootvodov Radiotehnika i jelektronika, 1965g. t.10 v.7 str. 1356-1359.
3. Labrets J. , Domincuez E., Lora Yamayo E., Arjona F. Thin oxide silicon dioxide – silicon MIS solar cells. Photovoltaic solar energy conf. proc. 3 rd inst. Conf. Cannes 1980.
4. Muzafarova S.A.Issledovanie fotochuvstvitel'nyh PDP struktur na osnove tellurida kadmija. Kandidatskaja dissertacija 1983.Tashkent.
5. Aliev A.A., Mirsagatov Sh.A., Muzafarova S.A., Abduvajitov A.A. Issledovanie primesnogo sostava i himicheskogo sostojanija sintezirovannyh plenok tellurida kadmija na molibdenovyh podlozhkah iz parovoj fazy metodom JeOS.// Sb.trud. Fundamental'nye i prikladnye voprosy fiziki, Tashkent, 2004.-S.211.
6. Kutinij D.V., Kutinij V.E., Rybka A.V., Shljahov I.N., Zaharchenko A.A., Kutinij K.V., Verevkin A.A. Modelirovanie vol'tampernyh harakteristik detektorov rentgenovskogo i gammaizluchenija na osnove struktur Me – CdZnTe – Me. // Vestnik Har'kovskogo universiteta, 2007, №777, vyp.2(34). – S73-78.
7. Vasil'ev A.M. Landsman A.P. Poluprovodnikovye fotopreobrazovateli M, Sov. radio 1970
8. Sh.B.Utamuradova, S.A.Muzafarova. Vlijanie dozy - obluchenija na mehanizm perenosa toka fotopriemnikov s pdp strukturoj pCdTeTeO2-n SnO2. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 2019,tom.1,.vypusk.6s.71-76.
2. Bardina N.M, Zajceva A.K. Vybor optimal'nyh razmerov i nagruzki kremnievogo fotojelementa pri razlichnyh variantah tokootvodov Radiotehnika i jelektronika, 1965g. t.10 v.7 str. 1356-1359.
3. Labrets J. , Domincuez E., Lora Yamayo E., Arjona F. Thin oxide silicon dioxide – silicon MIS solar cells. Photovoltaic solar energy conf. proc. 3 rd inst. Conf. Cannes 1980.
4. Muzafarova S.A.Issledovanie fotochuvstvitel'nyh PDP struktur na osnove tellurida kadmija. Kandidatskaja dissertacija 1983.Tashkent.
5. Aliev A.A., Mirsagatov Sh.A., Muzafarova S.A., Abduvajitov A.A. Issledovanie primesnogo sostava i himicheskogo sostojanija sintezirovannyh plenok tellurida kadmija na molibdenovyh podlozhkah iz parovoj fazy metodom JeOS.// Sb.trud. Fundamental'nye i prikladnye voprosy fiziki, Tashkent, 2004.-S.211.
6. Kutinij D.V., Kutinij V.E., Rybka A.V., Shljahov I.N., Zaharchenko A.A., Kutinij K.V., Verevkin A.A. Modelirovanie vol'tampernyh harakteristik detektorov rentgenovskogo i gammaizluchenija na osnove struktur Me – CdZnTe – Me. // Vestnik Har'kovskogo universiteta, 2007, №777, vyp.2(34). – S73-78.
7. Vasil'ev A.M. Landsman A.P. Poluprovodnikovye fotopreobrazovateli M, Sov. radio 1970
8. Sh.B.Utamuradova, S.A.Muzafarova. Vlijanie dozy - obluchenija na mehanizm perenosa toka fotopriemnikov s pdp strukturoj pCdTeTeO2-n SnO2. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 2019,tom.1,.vypusk.6s.71-76.
Опубликован
2022-01-24
Как цитировать
Утамурадова , Ш., и С. Музафарова. 2022. «ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ SNO2/PCDTE, ITO/PCDTE И IN2O3/PCDTE НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ ». EurasianUnionScientists, январь, 61-66. https://doi.org/10.31618/ESU.2413-9335.2021.1.93.1550.
Выпуск
Раздел
Статьи
CC BY-ND
Эта лицензия позволяет свободно распространять произведение, как на коммерческой, так некоммерческой основе, при этом работа должна оставаться неизменной и обязательно должно указываться авторство.
