МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ СТОКА НА ПАРАЗИТНЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ ТОКИ В ЭЛЕМЕНТАХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ
Аннотация
В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе функционирования современных элементов флеш-памяти, рассмотрено влияние глубины залегания областей истока и стока данных транзисторов на величину паразитных токов, проникающих на плавающий затвор. Показано, что увеличение глубины залегания этих областей, хотя и увеличивает размеры элемента памяти, снижая степень интеграции, заметно уменьшает величину паразитного тока. Это происходит вследствие уменьшения плотности приповерхностных токов и ухода горячих электронов, вызывающих паразитные токи, в глубь подложки МОП-транзистора.
Литература
2. Fiegna C., Iwai H., Wada T. et al. Scaling the MOS Transistor Below 0.1 μm: Methodology, Device Structures, and Technology Requirements // IEEE Trans. Electron Dev. 1994. Vol. 41, No 6. P. 941–951
3. Borzdov V.M., Zhevnjak O.G., Komarov F.F., Galenchik V.O. Modelirovanie metodom Monte-Karlo pribornyh struktur integral'noj jelektroniki. Minsk: BGU; 2007 – 175 c. [Borzdov V. M., Zhevnyak O. G., Komarov F. F., Galenchik V.O. Monte Carlo simulation of device structures of integral electronics. Minsk: BSU; 2007. (In Russ).]
4. Zhevnjak O. G. Modelirovanie parazitnyh tunnel'nyh tokov v jelementah flesh-pamjati na osnove korotkokanal'nyh kremnievyh MOPtranzisorov // Eurasian union of Scientists (ESU). 2020. № 76, Ch. 2. S. 26–28. [ Zhevnyak Ol. Simulation of parasitic currents in Flash-memory cells based on short-channel MOSFETs . // Eurasian union of Scientists. 2020. № 76, Ch. 2. S. 26–28 (In Russ).]
CC BY-ND
Эта лицензия позволяет свободно распространять произведение, как на коммерческой, так некоммерческой основе, при этом работа должна оставаться неизменной и обязательно должно указываться авторство.
